IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=145 A, 4针, SOT-227, HiperFET系列

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RS 库存编号:
146-4239
制造商零件编号:
IXFN150N65X2
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

145A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

SOT-227

系列

HiperFET

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

17mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

335nC

最大功耗 Pd

1.04kW

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.4V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

38.23mm

高度

9.6mm

宽度

25.07mm

汽车标准

否

低 RDS（接通）和 Qg

快速体二极管

dv/dt 稳定

雪崩等级

低封装电感

国际标准封装

谐振模式电源

高强度放电 (HID) 灯镇流器

交流和直流电动机驱动器

直流 - 直流转换器

机器人和伺服控制

电池充电器

3 级太阳能逆变器

LED 照明

无人机 (UAV)

效率更高

高功率密度

安装简便

节省空间

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