IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=40 A, 4针, SOT-227, HiperFET, Polar系列

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包装方式：
RS 库存编号:
194-473
Distrelec 货号:
302-53-375
制造商零件编号:
IXFN48N60P
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

SOT-227

系列

HiperFET, Polar

安装类型

面板

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

140mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

625W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

150nC

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

长度

38.23mm

宽度

25.42mm

高度

9.6mm

标准/认证

No

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
KR

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