Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 33 A, LFPAK, 表面安装, 4引脚, BUK9M2880E系列

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153-0762
制造商零件编号:
BUK9M28-80EX
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

33A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

BUK9M2880E

包装类型

LFPAK

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

70mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.1nC

最大栅源电压 Vgs

15 V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

75W

最高工作温度

175°C

高度

0.9mm

长度

3.4mm

标准/认证

No

宽度

2.6 mm

汽车标准

AEC-Q101

N 沟道 80 V,28 mΩ 逻辑电平 MOSFET 采用 LFPAK33 封装,逻辑电平 N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK33 (Power33) 封装,使用 TrenchMOS 技术。此产品经过设计符合 AEC Q101 标准,可用于高性能汽车应用。

符合 Q101 标准

重复性耐雪崩等级

由于额定温度为 175 °C,适用于对热量要求苛刻的环境

逻辑高电平驱动,在 175 °C 时,栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V

12 V、24 V 和 48 V 汽车系统

电动机、灯和电磁阀控制

传输控制

超高性能功率开关