Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 33 A, LFPAK33, 贴片安装, 4引脚
- RS 库存编号:
- 153-0774
- 制造商零件编号:
- BUK9M28-80EX
- 制造商:
- Nexperia
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 153-0774
- 制造商零件编号:
- BUK9M28-80EX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 33 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 封装类型 | LFPAK33 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 70 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.45V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V | |
| 最大功率耗散 | 75 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 15 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 宽度 | 2.6mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.1 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 33 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
封装类型 LFPAK33 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 70 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.45V | ||
最小栅阈值电压 0.5V | ||
最大功率耗散 75 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 15 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
宽度 2.6mm | ||
长度 3.4mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.1 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.9mm | ||
N 沟道 80 V，28 mΩ 逻辑电平 MOSFET 采用 LFPAK33 封装，逻辑电平 N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK33 (Power33) 封装，使用 TrenchMOS 技术。此产品经过设计符合 AEC Q101 标准，可用于高性能汽车应用。
符合 Q101 标准
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175 °C，适用于对热量要求苛刻的环境
逻辑高电平驱动，在 175 °C 时，栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V
12 V、24 V 和 48 V 汽车系统
电动机、灯和电磁阀控制
传输控制
超高性能功率开关
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175 °C，适用于对热量要求苛刻的环境
逻辑高电平驱动，在 175 °C 时，栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V
12 V、24 V 和 48 V 汽车系统
电动机、灯和电磁阀控制
传输控制
超高性能功率开关