Texas Instruments N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=273 A, 3针, TO-220, NexFET系列
- RS 库存编号:
- 162-8558
- 制造商零件编号:
- CSD19506KCS
- 制造商:
- Texas Instruments
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- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 273A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | NexFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 120nC | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 16.51mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 273A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 NexFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 120nC | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.7mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 16.51mm | ||
长度 10.67mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
MOSFET 晶体管，Texas Instruments
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