Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=12 A, 8针, SOIC, HEXFET系列

RS 库存编号:: 165-5714
制造商零件编号:: IRF7855TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=12 A, 8针, SOIC, HEXFET系列

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单位	每单位	每卷*
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RS 库存编号:: 165-5714
制造商零件编号:: IRF7855TRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	12A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	HEXFET
	包装类型	SOIC
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	9.4mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	26nC
	最大功耗 Pd	2.5W
	正向电压 Vf	1.3V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	最高工作温度	150°C
	长度	5mm
	宽度	4mm
	高度	1.5mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 12A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 HEXFET
	包装类型 SOIC
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 9.4mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC
	最大功耗 Pd 2.5W
	正向电压 Vf 1.3V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	最高工作温度 150°C
	长度 5mm
	宽度 4mm
	高度 1.5mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Infineon HEXFET系列MOSFET，最大漏源电压60V，最大连续漏极电流12A - IRF7855TRPBF

这款MOSFET是一款大电流N沟道晶体管，专为表面贴装组件的开关和电源管理任务而设计。它可在宽温度范围内工作，适合工业用途，适用于需要低导通损耗和快速栅极响应的应用。该器件采用8引脚SOIC封装，可实现紧凑的PCB安装，并支持连续工作期间的中等功耗。

特性和优点：

• 60V漏极额定电压，支持在中压系统中进行开关操作
• 12A连续漏极电流，支持更高的负载电流
• 9.4mΩ低导通电阻，可降低负载条件下的导通损耗
• 26nC典型栅极电荷确保灵敏的开关控制
• 20V栅极耐压，支持灵活的驱动电压
• 2.5W 功耗可在狭窄空间内有效管理热负载

应用

• 适用于工业控制设备的电源轨
• 适用于需要高电流开关的电机驱动器
• 适用于紧凑型电源的DCDC转换器
• 可用于电信设备的负载开关
• 适用于需要SOIC封装的表面贴装设计

它在运行过程中能够可靠承受的温度范围是多少？

它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可适应恶劣的工业热环境。

封装类型对于 PCB 布局的考量因素有何影响？

8针SOIC封装需要注意散热过孔和覆铜面积，以有效耗散其最大2.5W的功耗。

哪些电气特性决定了高电流下的传导效率？

该器件的最大漏源电阻为9.4mΩ，这在持续电流流通期间主要决定了导通损耗。

要实现高效开关，栅极驱动应如何设计？

设计栅极驱动器，为典型26nC栅极电荷（Qg）提供足够的电荷，以在开关速度、驱动能耗和电磁干扰（EMI）之间取得平衡。