Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=20 A, 8针, SOIC, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 165-5715
- 制造商零件编号:
- IRF7832TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 4000 件）*
RMB18,964.00
(不含税)
RMB21,428.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年5月03日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4000 - 16000 | RMB4.741 | RMB18,964.00 |
| 20000 + | RMB4.598 | RMB18,392.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 165-5715
- 制造商零件编号:
- IRF7832TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 34nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最高工作温度 | 155°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 34nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最高工作温度 155°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4mm | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET系列MOSFET，最大漏源电压30V，最大连续漏极电流20A - IRF7832TRPBF
该MOSFET是一款表面贴装N沟道增强型器件，专为紧凑型电子系统中的电源开关和控制而设计。它可在适用于工业环境的宽温度范围内工作，并能集成到标准SOIC封装中以进行PCB组装，为中功率设计提供了电流能力与管理良好的功耗之间的平衡。
特性和优点：
• 导通电阻低至4.8mΩ，可降低导通损耗
• 20A 持续漏极电流，支持大电流负载
• 30V漏源额定值，适用于常见低电压电源导轨
• 典型栅极电荷为34nC，可实现更快的开关转换
• 最大功耗为2.5W，支持持续热处理
• ±20V 栅源耐压，支持灵活的驱动电平
• 20A 持续漏极电流，支持大电流负载
• 30V漏源额定值，适用于常见低电压电源导轨
• 典型栅极电荷为34nC，可实现更快的开关转换
• 最大功耗为2.5W，支持持续热处理
• ±20V 栅源耐压，支持灵活的驱动电平
应用
• 适用于DCDC转换器开关级应用
• 适用于采用紧凑型设计的电机驱动装置电源开关
• 用于电源的同步整流
• 可用于电信设备的负载开关
• 适用于电池管理和配电
• 适用于采用紧凑型设计的电机驱动装置电源开关
• 用于电源的同步整流
• 可用于电信设备的负载开关
• 适用于电池管理和配电
它在运行过程中能承受怎样的极端温度？
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 155°C，可在恶劣的工业温度条件下使用。
该封装为 PCB 布局提供多少个引脚？
它采用8针SOIC封装，有助于实现标准占位布局和改善散热。
其栅极电荷会带来哪些栅极驱动方面的考量？
典型栅极电荷为34nC，驱动器必须提供足够的峰值电流，以实现所需的开关速度，同时避免过高的驱动损耗。
其正向电压对串联导通场景有何影响？
测得的1V正向电压会影响本征二极管事件期间的压降，因此在设计反向恢复或体二极管导通时应予以考虑。
相关链接
- Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 20 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, IRF7832TRPBF, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 2.4 A, SOIC, 8引脚, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 18 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 12 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 24 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 2.4 A, SOIC, 8引脚, IRF7503TRPBF, HEXFET系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 15 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 16 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列