Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=190 mA, 3针, SOT-23, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 165-5732
制造商零件编号:: BSS123NH6433XTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=190 mA, 3针, SOT-23, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 165-5732
制造商零件编号:: BSS123NH6433XTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	190mA
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	SOT-23
	系列	OptiMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	10Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	500mW
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	0.6nC
	正向电压 Vf	0.8V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	长度	2.9mm
	宽度	1.3mm
	高度	1mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 190mA
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 SOT-23
	系列 OptiMOS
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 10Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 500mW
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.6nC
	正向电压 Vf 0.8V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	长度 2.9mm
	宽度 1.3mm
	高度 1mm
	汽车标准 AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS系列MOSFET，最大漏源电压100V，最大漏源电阻 10Ω - BSS123NH6327XTSA1

这款 MOSFET 是一款表面贴装 N沟道增强型晶体管，专为紧凑型电子组件的开关和控制任务而设计。它适用于宽温范围，以及需要低开关电荷和保守电流处理的应用。该器件采用SOT-23封装，便于PCB安装，适用于需要汽车级元件可靠性的环境。

特性和优点：

• 100V 漏源额定值可实现高压开关能力
• 10Ω的导通电阻简化了低功耗保护和限流功能
• 0.6nC典型栅极电荷，可最大限度降低开关损耗
• 190mA 的连续漏极电流支持轻载控制
• 20V栅极电压额定值，兼容常见的驱动电平
• 500mW 功耗，可处理低热负载

应用

• 适用于电池管理感应电路
• 适用于控制模块的低电流负载切换
• 与混合电压系统中的电平转换接口配合使用
• 可用于汽车外围设备的信号隔离
• 适用于热受限的配电网络

其在运行中可以承受哪些温度条件？

它可在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内工作，适用于冷启动和高温环境。

它采用什么安装方式和引脚配置？

它以三针SOT-23表面贴装封装形式提供，针对自动化PCB组装和小型化布局进行了优化。

其结构对于汽车项目的选择有何影响？

该器件符合汽车应力测试标准，适用于需要满足汽车认证要求的元件。

在PCB上应如何管理散热？

在500mW功耗限制下，设计人员应提供足够的铜箔面积或热过孔，以分散热量并将结温保持在安全范围内。