Infineon N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=100 V, 190 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, BSS123IXTSA1, BSS123I系列

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RS 库存编号:
225-0557
制造商零件编号:
BSS123IXTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

190mA

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOT-223

系列

BSS123I

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

10Ω

通道模式

消耗

最大功耗 Pd

0.5W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.63nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

3.7 mm

高度

1.8mm

标准/认证

No

长度

6.7mm

汽车标准

Distrelec Product Id

304-39-400

Infineon BSS123I 是小信号,小功率 N 沟道和 P 沟道 MOSFET ,可提供广泛的 VGS (th) 电平和 RDS (on) 值以及多种电压等级。此 MOSFET 具有增强型和耗尽型选项。

印刷电路板空间和成本节省

栅极驱动灵活性

降低设计复杂性

环保型

整体效率高