Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=190 mA, 3针, SOT-23, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 165-5873
制造商零件编号:: BSS119NH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=190 mA, 3针, SOT-23, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 165-5873
制造商零件编号:: BSS119NH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	190mA
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	SOT-23
	系列	OptiMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	10Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	0.6nC
	最大功耗 Pd	500mW
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	正向电压 Vf	800mV
	最高工作温度	150°C
	宽度	1.3mm
	标准/认证	No
	高度	1mm
	长度	2.9mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 190mA
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 SOT-23
	系列 OptiMOS
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 10Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.6nC
	最大功耗 Pd 500mW
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	正向电压 Vf 800mV
	最高工作温度 150°C
	宽度 1.3mm
	标准/认证 No
	高度 1mm
	长度 2.9mm
	汽车标准 AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS 系列 MOSFET，100V 最大漏源电压，190mA最大连续漏极电流 - BSS119NH6327XTSA1

该MOSFET是一款表面贴装型N沟道晶体管，专为紧凑型电子组件的开关和放大任务而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于严苛环境，并适用于允许较低功耗和中等电流能力的场合。该器件采用三针SOT-23封装，针对自动化PCB组装进行了优化。

特性和优点：

• 100V 漏源额定值可实现高压开关能力
• 最大10Ω的导通电阻提供低导通损耗，适用于小负载
• 500mW最大功耗，可轻松应对紧凑电路中的热负载
• 190mA 连续漏极电流支持低电流控制应用
• 0.6nC典型栅极电荷，可实现更快的切换，驱动能耗极低
• ±20V 栅极容差可适应宽栅极驱动范围

应用

• 适用于汽车传感器信号切换与控制
• 适用于通用型低电流电源管理
• 用于车辆的电池管理监控电路
• 可用于小信号高压电平转换
• 用于低功耗转换器设计的栅极驱动装置

PCB组装需要采用哪种安装方式？

它适用于表面安装，采用三端子 SOT-23 封装，与标准拾放工艺兼容。

它在极端温度条件下的表现如何？

它的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在汽车级热量范围内保持功能性。

应考虑哪些栅极驱动因素？

该器件在栅极上可接受高达 ±20V 电压，并且具有 0.6nC 的低典型栅极电荷，从而降低了驱动器能量需求并允许使用更小的驱动电路。

设计人员应预留多大的机械封装空间？

封装尺寸为 2.9 x 1.3 x 1mm，能够在实现高密度PCB布局的同时，为其电压等级提供必要的爬电距离。