Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=1.5 A, 3针, SC-70, OptiMOS系列

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RS 库存编号:
165-5865
制造商零件编号:
BSS214NH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

1.5A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SC-70

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

250mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

500mW

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.8nC

最大栅源电压 Vgs

-12V, +12V

正向电压 Vf

0.8V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

1.25mm

长度

2mm

高度

0.8mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS系列MOSFET，20V最大漏源电压，1.5A最大连续漏极电流 - BSS214NH6327XTSA1


这款 N沟道 MOSFET 是一款紧凑型表面贴装开关，专为低压电子和汽车应用而设计。它作为增强型晶体管工作，用于控制电源管理和信号切换电路中的电流，同时能够耐受宽温度范围，可适应严苛的工作环境。

特性和优点：


• 漏源电阻低至250mΩ，可减少导通损耗
• 最大漏极电流为 1.5A，支持中等负载电流
• 最大漏源电压 20V，支持低电压功率级应用
• 0.8nC典型栅极电荷，可实现更快的开关转换
• 最大功耗500mW，能够以小尺寸封装有效管理热负载
• 最大栅源电压12V，与常见驱动电平兼容

应用


• 适用于DCDC转换器低侧开关
• 适用于汽车电子领域的配电应用
• 与需要快速开关响应的栅极驱动器配合使用
• 可用于紧凑型 PCB 上的负载切换
• 适用于电池供电设备的电源管理

在恶劣条件下，它能承受多高的工作温度？


它可在 -55°C 至 150°C 的宽工作温度范围内工作，确保高温稳定性。

封装对电路板数量和组装有何影响？


SC-70表面贴装封装。有助于实现高密度PCB布局和自动化拾放组装。

设计人员在栅极驱动方面应遵循哪些电气限制？


栅源电压切勿超过12V，以免损坏栅氧化层。

设计人员应为元件间隙预留多少垂直空间？


在规划外壳和堆叠限制时，需为元件高度预留0.8mm空间。

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