Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=1.5 A, 3针, SC-70, OptiMOS系列

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RS 库存编号:
165-5863
制造商零件编号:
BSS214NWH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

1.5A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SC-70

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

250mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

500mW

最大栅源电压 Vgs

-12V, +12V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.8nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.8V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

0.8mm

长度

2mm

宽度

1.25mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS系列MOSFET，20V最大漏源电压，1.5A最大连续漏极电流 - BSS214NWH6327XTSA1


这款 MOSFET 是一款紧凑型 N 沟道增强型器件，专为空间受限电子组件的表面贴装电源开关与管理应用而设计。它可在宽广的环境温度范围内工作，适应严苛的温度条件，并专为需要高效导通与快速栅极响应的低压、低电流应用而设计。

特性和优点：


• 20V漏源极额定电压，支持低压电源设计
• 250mΩ导通电阻，可降低电源路径中的导通损耗
• 0.8nC 典型栅极电荷，支持快速栅极转换
• 1.5A 连续漏极电流，可处理中等负载电流
• 最大耗散功率500mW，确保充足的安全热裕量
• 12V栅极阈值可最大限度提高栅极驱动灵活性

应用


• 适用于汽车传感器电源开关
• 适用于电池管理和负载断开
• 与分布式电源模块的控制逻辑配套使用
• 可用于小型DCDC转换器级应用
• 适用于便携式设备的电源路径切换

它在极端环境中能够耐受什么温度范围？


其规定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，允许用于高温汽车区域。

对于高密度电路板布局，它的紧凑性如何？


该元件采用微型 SC-70 表面贴装封装，尺寸为 2mm x 1.25mm，薄型设计，高度仅0.8mm。

设计人员应该遵守哪些栅极驱动限制？


栅源电压不得超过 12V，以避免损坏栅极介质。

该器件在持续负载下的表现如何？


它在热约束条件下可支持1.5A稳定漏极电流，同时耗散功率高达500mW。

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