STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=11 A, 3针, TO-252, FDmesh系列

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RS 库存编号:
165-6595
制造商零件编号:
STD13NM60ND
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

11A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

FDmesh

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

380mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

109W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

24.5nC

正向电压 Vf

1.6V

最大栅源电压 Vgs

-25V, +25V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

高度

2.4mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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