STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 29 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, FDmesh系列

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168-7473
制造商零件编号:
STW34NM60ND
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-247

系列

FDmesh

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

110mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80.4nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

190W

最大栅源电压 Vgs

25 V

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

高度

20.15mm

标准/认证

No

宽度

5.15 mm

长度

15.75mm

汽车标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics