STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=29 A, 3针, TO-247, FDmesh系列

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RS 库存编号:
168-7473
制造商零件编号:
STW34NM60ND
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-247

系列

FDmesh

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

110mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.6V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80.4nC

最大功耗 Pd

190W

最大栅源电压 Vgs

-25V, +25V

最高工作温度

150°C

宽度

5.15mm

高度

20.15mm

长度

15.75mm

标准/认证

No

汽车标准

否

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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