制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=11 A, 3针, TO-252, FDmesh系列

RS 库存编号:: 791-9285
制造商零件编号:: STD13NM60ND
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=11 A, 3针, TO-252, FDmesh系列

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RS 库存编号:: 791-9285
制造商零件编号:: STD13NM60ND
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	11A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	TO-252
	系列	FDmesh
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	380mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24.5nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	109W
	最大栅源电压 Vgs	-25V, +25V
	正向电压 Vf	1.6V
	最高工作温度	150°C
	高度	2.4mm
	宽度	6.2mm
	标准/认证	No
	长度	6.6mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 11A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 TO-252
	系列 FDmesh
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 380mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24.5nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 109W
	最大栅源电压 Vgs -25V, +25V
	正向电压 Vf 1.6V
	最高工作温度 150°C
	高度 2.4mm
	宽度 6.2mm
	标准/认证 No
	长度 6.6mm
	汽车标准否

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=11 A, 3针, TO-252, FDmesh系列

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