Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=27 A, 8针, PowerPAK 1212, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
165-6922
制造商零件编号:
SISS23DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

27A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

PowerPAK 1212

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

11.5mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-0.8V

最大栅源电压 Vgs

-8V, +8V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

57W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

195nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

高度

780μm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET，TrenchFET Gen III，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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