Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 30 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, ThunderFET系列

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RS 库存编号:
165-7076
制造商零件编号:
SIS468DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

PowerPAK 1212

系列

ThunderFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

32mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18.1nC

正向电压 Vf

0.78V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

52W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

3.4 mm

高度

1.12mm

长度

3.4mm

汽车标准

N 通道 MOSFET,中等电压/ThunderFET®,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor