DiodesZetex N沟道增强型功率MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=9.3 A, 7针, UDFN
- RS 库存编号:
- 165-8742
- 制造商零件编号:
- DMN2014LHAB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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- 制造商零件编号:
- DMN2014LHAB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | UDFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 28mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | -12V, +12V | |
| 最大功耗 Pd | 1.7W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 宽度 | 2.05mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 9.3A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 UDFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 28mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.5nC | ||
最大栅源电压 Vgs -12V, +12V | ||
最大功耗 Pd 1.7W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
高度 0.6mm | ||
长度 3.05mm | ||
宽度 2.05mm | ||
标准/认证 AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
双 N 通道 MOSFET，Diodes Inc.
MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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