DiodesZetex N沟道增强型功率MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=9.3 A, 7针, UDFN

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包装方式：
RS 库存编号:
827-0462
制造商零件编号:
DMN2014LHAB-7
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

9.3A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

UDFN

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

28mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

1.7W

最大栅源电压 Vgs

-12V, +12V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.5nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

+150°C

晶体管配置

隔离式

标准/认证

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

长度

3.05mm

宽度

2.05mm

高度

0.6mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

双 N 通道 MOSFET，Diodes Inc.


MOSFET 晶体管，Diodes Inc.


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