Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 3针, TO-263
- RS 库存编号:
- 165-9989
- 制造商零件编号:
- PSMN4R3-30BL,118
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | RMB6.27 | RMB5,016.00 |
| 1600 - 2400 | RMB6.082 | RMB4,865.60 |
| 3200 + | RMB5.90 | RMB4,720.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 165-9989
- 制造商零件编号:
- PSMN4R3-30BL,118
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 103W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.3mm | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 宽度 | 11mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 103W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.3mm | ||
高度 4.5mm | ||
宽度 11mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N 通道 MOSFET ，高达 30V
MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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