Infineon P型, N型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=1.5 A, 6针, TSOP, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 166-1086
制造商零件编号:: BSL215CH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon P型, N型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=20 V, Id=1.5 A, 6针, TSOP, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 166-1086
制造商零件编号:: BSL215CH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型, N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	1.5A
	最大漏源电压 Vd	20V
	包装类型	TSOP
	系列	OptiMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	280mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	3nC
	最大功耗 Pd	500mW
	正向电压 Vf	0.8V
	最大栅源电压 Vgs	12V
	晶体管配置	隔离式
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	宽度	1.6mm
	高度	1mm
	长度	2.9mm
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型, N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 1.5A
	最大漏源电压 Vd 20V
	包装类型 TSOP
	系列 OptiMOS
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 280mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3nC
	最大功耗 Pd 500mW
	正向电压 Vf 0.8V
	最大栅源电压 Vgs 12V
	晶体管配置隔离式
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	宽度 1.6mm
	高度 1mm
	长度 2.9mm
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准 AEC-Q101

COO (Country of Origin):: MY

Infineon OptiMOS系列MOSFET，20V最大漏源电压，1.5A最大连续漏极电流 - BSL215CH6327XTSA1

该MOSFET是一款紧凑型表面贴装功率晶体管器件，专为汽车和工业环境中的开关与放大应用而设计。它包含采用隔离配置的成对晶体管元件，以支持需要 P‑沟道和 N‑沟道同时工作的互补型应用。该元件专为在印刷电路板上使用而设计，适用于注重紧凑占用空间和行业特定可靠性的应用。

特性和优点：

• 3nC低栅极电荷可实现更快的开关性能
• 1.5A最大连续漏极电流，支持中等负载电路
• 280mΩ漏源电阻可降低导通损耗
• 额定漏源电压20V，适用于低压系统
• 功耗为500mW，能够以紧凑设计有效管理热负载
• 符合AE‑Q101标准，具备出色的汽车级应力耐受力

应用

• 适用于汽车信号切换和控制电路
• 与电池管理和配电模块配合使用
• 适用于紧凑型DC‑DC转换器和电压调节器
• 可用于信息娱乐子系统的负载切换
• 适用于嵌入式电机控制驱动器级应用

它能在什么温度范围内可靠运行？

它的工作温度范围为-55°C至150°C，可满足从冷启动到发动机舱高温环境的各种使用需求。

该芯片上提供多少晶体管元件？

该器件的每个芯片包含两个元件，采用隔离配置以实现灵活的电路拓扑。

设计人员应规划哪种封装和引脚数？

它采用 TSOP 封装，配备六个引脚，适用于表面贴装和布局规划。

必须遵守哪些栅‑源电压和正向电压限制？

最大栅‑源电压为 12V，正向电压为 0.8V，以满足二极管导通需求。