Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=67 A, 5针, LFPAK, PH8230E系列
- RS 库存编号:
- 166-1571
- 制造商零件编号:
- PH8230E,115
- 制造商:
- Nexperia
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 166-1571
- 制造商零件编号:
- PH8230E,115
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 67A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | PH8230E | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 850mV | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 4.1mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 67A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 PH8230E | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 850mV | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 5mm | ||
宽度 4.1mm | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道 MOSFET ，高达 30V
MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
相关链接
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 67 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PH8230E,115, PH8230E系列
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 25 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, BUK9Y2940E系列
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 25 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, BUK9Y29-40E,115, BUK9Y2940E系列
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 100 A, LFPAK, 表面安装, 4引脚
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 76 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 55 A, LFPAK, 表面安装, 8引脚
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 16.7 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, BUK9Y59系列
- Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 79 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, BUK9Y7R640E系列