Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=25 A, 5针, LFPAK, BUK9Y2940E系列

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RS 库存编号:
153-2815
制造商零件编号:
BUK9Y29-40E,115
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

25A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

BUK9Y2940E

包装类型

LFPAK

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

58.3mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

37W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

15V

最高工作温度

175°C

高度

1.05mm

宽度

4.1mm

标准/认证

No

长度

5mm

汽车标准

AEC-Q101

N 沟道 40 V,29 mΩ 逻辑电平 MOSFET 采用 LFPAK56 封装,逻辑电平 N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK56 (Power SO8) 封装,使用 TrenchMOS 技术。此产品经过设计符合 AEC Q101 标准,可用于高性能汽车应用。

符合 Q101 标准

重复性耐雪崩等级

由于额定温度为 175 °C,适用于对热量要求苛刻的环境

逻辑高电平驱动,在 175 °C 时,栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V

12 V 汽车系统

电动机、灯和电磁阀控制

传输控制

超高性能功率开关

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