制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=11 A, 3针, TO-220, MDmesh系列

RS 库存编号:: 168-6690
制造商零件编号:: STF11NM80
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=11 A, 3针, TO-220, MDmesh系列

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RS 库存编号:: 168-6690
制造商零件编号:: STF11NM80
制造商:: STMicroelectronics

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	11A
	最大漏源电压 Vd	800V
	包装类型	TO-220
	系列	MDmesh
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	400mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	-30V, +30V
	正向电压 Vf	0.86V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	43.6nC
	最低工作温度	-65°C
	最大功耗 Pd	35W
	最高工作温度	150°C
	高度	9.3mm
	宽度	4.6mm
	长度	10.4mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 11A
	最大漏源电压 Vd 800V
	包装类型 TO-220
	系列 MDmesh
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 400mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs -30V, +30V
	正向电压 Vf 0.86V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43.6nC
	最低工作温度 -65°C
	最大功耗 Pd 35W
	最高工作温度 150°C
	高度 9.3mm
	宽度 4.6mm
	长度 10.4mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=11 A, 3针, TO-220, MDmesh系列

N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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