STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 5 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, DeepGate, STripFET系列
- RS 库存编号:
- 168-7300
- 制造商零件编号:
- STS5NF60L
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 2500 件）*
RMB14,242.50
(不含税)
RMB16,095.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年12月11日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | RMB5.697 | RMB14,242.50 |
| 12500 + | RMB5.583 | RMB13,957.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 168-7300
- 制造商零件编号:
- STS5NF60L
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | DeepGate, STripFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 55mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.65mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 DeepGate, STripFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 55mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.65mm | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
相关链接
- STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 5 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, STS5NF60L, DeepGate, STripFET系列
- STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 120 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, DeepGate, STripFET系列
- STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 120 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP260N6F6, DeepGate, STripFET系列
- STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 6 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, STripFET系列
- STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 6 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, STS6NF20V, STripFET系列
- STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 80 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, DeepGate, STripFET系列
- STMicroelectronics , 2 N型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 4 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, STripFET系列
- STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 110 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, DeepGate, STripFET系列