Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=500 V, Id=19 A, 3针, TO-247AC, E系列
- RS 库存编号:
- 169-5791
- 制造商零件编号:
- SIHG20N50E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 169-5791
- 制造商零件编号:
- SIHG20N50E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 19A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 包装类型 | TO-247AC | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 184mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 5.31mm | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 高度 | 20.82mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 19A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
包装类型 TO-247AC | ||
系列 E | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 184mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 5.31mm | ||
长度 15.87mm | ||
高度 20.82mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay E 系列功率 MOSFET，500V 漏源电压，19A 连续漏极电流 - SIHG20N50E-GE3
这款功率 MOSFET 是一款高压 N 通道增强型设备，专为功率转换和开关应用而设计。它具有强大的开关能力，适用于传统组件中的通孔安装，可在宽环境温度范围内运行，适用于苛刻的电子环境。
特性和优点：
• 500V 漏电能力支持高压功率级
• 19A 连续漏极电流可实现大量负载处理
• 179W 功耗，支持高功率运行
• 184mΩ 最大 RDS(on) 可最大限度减少传导损耗
• 46nC 典型栅极电荷可降低开关控制能量
• 30V 最大栅极额定值允许标准栅极驱动电压
• 19A 连续漏极电流可实现大量负载处理
• 179W 功耗，支持高功率运行
• 184mΩ 最大 RDS(on) 可最大限度减少传导损耗
• 46nC 典型栅极电荷可降低开关控制能量
• 30V 最大栅极额定值允许标准栅极驱动电压
应用
• 适用于开关电源的电力电子 MOSFET
• 适用于 500V 通孔 TO-247 功率晶体管组件
• 与高压逆变器和电机驱动级配合使用
• 可用于工业电源和转换器
• 用于传统的通孔维修和原型板
• 适用于 500V 通孔 TO-247 功率晶体管组件
• 与高压逆变器和电机驱动级配合使用
• 可用于工业电源和转换器
• 用于传统的通孔维修和原型板
在高温环境中部署时的热限制是多少？
其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在高温系统中运行。
为实现可靠安装，需要采用哪种安装方式？
该设备采用 TO-247AC 封装，为通孔安装，与标准波峰焊或手动焊接工艺以及散热器配置兼容。
在设计过程中，应考虑哪些栅极驱动因素？
设计用于最大 30V 的栅源额定电压，在调整驱动电路时，典型的栅极电荷为 46nC。
该部件在制造过程中是如何满足材料限制要求的？
它符合 RoHS 标准，满足环境法规的材料限制要求。
相关链接
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