Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 93 A, SOP, 表面安装, 8引脚

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RS 库存编号:
171-2202
制造商零件编号:
TPH4R50ANH
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

93A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

4.5mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

78W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

58nC

正向电压 Vf

-1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

0.95mm

宽度

5 mm

长度

5mm

汽车标准

不适用

直流 - 直流转换器

开关稳压器

电机驱动器

小型、薄型封装

高速切换

小栅极电荷:QSW = 22 nC(典型值)

低漏-源通态电阻:RDS(接通)= 3.7 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)

低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)

增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)