Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, TSON, 表面安装, 8引脚, TPN2R304PL

可享批量折扣

小计(1 包,共 10 件)*

¥87.42

(不含税)

¥98.78

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 14,890 件在 2026年1月01日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
10 - 1240RMB8.742RMB87.42
1250 - 2490RMB8.658RMB86.58
2500 +RMB8.224RMB82.24

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
171-2390
制造商零件编号:
TPN2R304PL
制造商:
Toshiba
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Toshiba

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

4mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

104W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

41nC

正向电压 Vf

-1.2V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

3.1 mm

长度

3.1mm

高度

0.85mm

汽车标准

豁免

高效直流-直流转换器

开关稳压器

电机驱动器

高速切换

小栅极电荷:QSW = 10.8 nC(典型值)

小输出电荷:Qoss = 27 nC(典型值)

低漏-源通态电阻:RDS(接通)= 1.8 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)

低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)

增强模式:Vth = 1.4 至 2.4 V(VDS = 10 V,ID = 0.3 mA)