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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB2.927 | RMB73.18 |
| 100 - 475 | RMB2.854 | RMB71.35 |
| 500 - 975 | RMB2.782 | RMB69.55 |
| 1000 + | RMB2.713 | RMB67.83 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-2477
- 制造商零件编号:
- SSM3K361R
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 1.8mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
包装类型 SOT-23 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 1.8mm | ||
长度 2.9mm | ||
高度 0.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
电源管理开关
直流 - 直流转换器
175 MOSFET
4.5 V 驱动
低漏-源通态电阻
RDS（接通）= 65 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5 V)
RDS（接通）= 51 mΩ（典型值）(@ VGS = 10 V)
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