onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=28.3 A, 8针, WDFN, NVTFS系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 10 件）*

RMB121.80

(不含税)

RMB137.60

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 1,430 个，准备发货

单位
每单位
每包*
10 - 370RMB12.18RMB121.80
380 - 740RMB12.059RMB120.59
750 +RMB11.455RMB114.55

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
221-6760
制造商零件编号:
NVTFS4C02NTAG
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

28.3A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

WDFN

系列

NVTFS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3.1mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20nC

最大功耗 Pd

107W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

0.8mm

标准/认证

No

长度

3.15mm

高度

3.15mm

汽车标准

否

on ON Semiconductor 汽车功率 mosfet 采用 3x3mm 扁平引线封装、设计用于紧凑型高效设计、包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强光学检验。它使用符合 aec Q101 标准的 mosfet 和 ppap 、适用于汽车应用。

低 rds （接通）可有效减少传导

低电容、有效减少驱动器

相关链接