onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 68 A, WDFN, 表面安装, 8引脚, NTTFS6H850N系列
- RS 库存编号:
- 178-4317
- 制造商零件编号:
- NTTFS6H850NTAG
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 68A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | NTTFS6H850N | |
| 包装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| 最大功耗 Pd | 107W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 3.15 mm | |
| 长度 | 3.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 68A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 NTTFS6H850N | ||
包装类型 WDFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.6nC | ||
最大功耗 Pd 107W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 0.75mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 3.15 mm | ||
长度 3.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
商用功率 MOSFET 采用 3x3 mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。
特点
低接通电阻
低栅极电荷
体积小巧 (3 x 3 mm)
优点
最大限度地减少传导损耗
最大限度地减少切换损耗
紧凑设计
应用
反向器电池保护
电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等）
同步整流
最终产品
电动机控制
电池管理
开关电源