onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=75 A, 3针, TO-247, NTH027N65S3F系列

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RS 库存编号:
172-3395
制造商零件编号:
NTH027N65S3F-F155
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

75A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-247

系列

NTH027N65S3F

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

27.4mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

595W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

259nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

150°C

长度

15.87mm

高度

20.82mm

宽度

4.82mm

标准/认证

No

汽车标准

否

此 PIN 二极管设计用于实现紧凑和高效的设计。两个 PIN 二极管整合在一个 SC-70 封装中。使用双 PIN 二极管可以降低系统成本并减少板空间。此 PIN 二极管支持 PPAP，适用于汽车应用。

支持 PPAP

适用于汽车应用

无铅和无卤素

环境因素

在小型封装中串联 2 个元件

大大提高了安装效率。

MCP3 封装与 SC-70 的引脚兼容

可从 SC-70 替换

小端子间电容（C = 0.23 pF 典型值）

适用于电平探测器

小正向串联电阻（rs = 4.5 Ω 最大值）

适用于 UHF 波段

用于汽车收音机天线的自动增益控制

汽车天线

汽车收音机调谐器

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