Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=7.7 A, 3针, IPAK, IRLU系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 管，共 75 件）*

RMB492.60

(不含税)

RMB556.65

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 1,800 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
Per Tube*
75 - 300RMB6.568RMB492.60
375 +RMB5.911RMB443.33

* 参考价格

RS 库存编号:
178-0910
制造商零件编号:
IRLU014PBF
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

7.7A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

IPAK

系列

IRLU

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

200mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-10V, +10V

最大功耗 Pd

2.5W

正向电压 Vf

1.6V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.4nC

最高工作温度

150°C

长度

6.73mm

标准/认证

No

宽度

2.39mm

高度

6.22mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。


相关链接