Vishay Siliconix N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 75 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 178-3722
- 制造商零件编号:
- SQJA76EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥15,255.00
(不含税)
¥17,238.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年9月07日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB5.085 | RMB15,255.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-3722
- 制造商零件编号:
- SQJA76EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 66nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 66W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 5 mm | |
| 长度 | 5.99mm | |
| 高度 | 1.07mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 75A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 66nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 66W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 5 mm | ||
长度 5.99mm | ||
高度 1.07mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® power MOSFET