Vishay Siliconix N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=75 A, 8针, SO-8, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
178-3916
制造商零件编号:
SQJA76EP-T1_GE3
制造商:
Vishay Siliconix
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品牌

Vishay Siliconix

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

75A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SO-8

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

66nC

最大功耗 Pd

66W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

1.07mm

长度

5.99mm

宽度

5mm

汽车标准

AEC-Q101

豁免

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® power MOSFET

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