制造商编号

Microchip N沟道耗尽型MOS管, Vds=400 V, 500 mA, TO-220, 通孔安装, 3引脚

RS 库存编号:: 178-4924
制造商零件编号:: DN2540N5-G
制造商:: Microchip

Microchip N沟道耗尽型MOS管, Vds=400 V, 500 mA, TO-220, 通孔安装, 3引脚

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单位	每单位	Per Tube*
50 - 50	RMB11.129	RMB556.45
100 - 450	RMB10.906	RMB545.30
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* 参考价格

RS 库存编号:: 178-4924
制造商零件编号:: DN2540N5-G
制造商:: Microchip

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Microchip
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	500 mA
	最大漏源电压	400 V
	封装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	25 Ω
	通道模式	耗尽
	最大栅阈值电压	3.5V
	最大功率耗散	15 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	-20 V、+20 V
	宽度	4.826mm
	每片芯片元件数目	1
	长度	10.7mm
	晶体管材料	Si
	最高工作温度	+150 °C
	高度	16.51mm
	最低工作温度	-55 °C

	选择全部
	品牌 Microchip
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 500 mA
	最大漏源电压 400 V
	封装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 25 Ω
	通道模式耗尽
	最大栅阈值电压 3.5V
	最大功率耗散 15 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 -20 V、+20 V
	宽度 4.826mm
	每片芯片元件数目 1
	长度 10.7mm
	晶体管材料 Si
	最高工作温度 +150 °C
	高度 16.51mm
	最低工作温度 -55 °C

Datasheet

Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管

Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。

特点

高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏

典型应用

常开开关
固态继电器
转换器
线性放大器
恒定电流源
电源电路
电信

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管，Microchip