可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB16,149.00
(不含税)
RMB18,249.00
(含税)
有库存
- 3,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB5.383 | RMB16,149.00 |
| 6000 - 27000 | RMB5.275 | RMB15,825.00 |
| 30000 + | RMB5.117 | RMB15,351.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7311
- 制造商零件编号:
- SI7143DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 P 沟道， PowerPAK-SO-8 封装，是一种具有 30V 漏 - 源电压和 20V 最大栅 - 源电压的新时代产品。它在栅极源电压为 10V 时具有 10mohm 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 35.7W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
•低热阻 PowerPAK 封装，小尺寸，薄型 1.07mm
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•适配器开关
•负载开关
• 笔记本电脑
相关链接
- Vishay MOSFET, SI7143DP-T1-GE3
- Vishay N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 4.1 A, PowerPack, 表面安装, 8引脚, SI7956DP系列
- Vishay N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 4.1 A, PowerPack, 表面安装, 8引脚, SI7956DP系列, SI7956DP-T1-GE3
- Vishay N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=-30 V, -60 A, PowerPack, 表面安装, 8引脚, SI7997DP系列
- Vishay N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=-30 V, -60 A, PowerPack, 表面安装, 8引脚, SI7997DP系列, SI7997DP-T1-GE3
- Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 60 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SI7164DP-T1-GE3, Si7164DP系列
- Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 28 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚
- Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 28 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SI7489DP-T1-GE3