Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=60 V, Id=60 A, 8针, PowerPAK SO-8, Si7164DP系列

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787-9529
制造商零件编号:
SI7164DP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

Si7164DP

包装类型

PowerPAK SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00625Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

49.5nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

104W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

6.25mm

宽度

5.26mm

高度

1.12mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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