制造商编号

Vishay N沟道MOSFET, Vds=600 V, Id=21 A, TO-220, E系列

RS 库存编号:: 180-7342
制造商零件编号:: SIHA22N60E-E3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道MOSFET, Vds=600 V, Id=21 A, TO-220, E系列

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小计（1 管，共 50 件）*

RMB922.05

(不含税)

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单位	每单位	Per Tube*
50 - 50	RMB18.441	RMB922.05
100 - 150	RMB17.888	RMB894.40
200 +	RMB17.352	RMB867.60

* 参考价格

RS 库存编号:: 180-7342
制造商零件编号:: SIHA22N60E-E3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	21A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	E
	包装类型	TO-220
	最大漏源电阻 Rd	0.18Ω
	最大功耗 Pd	35W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	30V
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	86nC
	晶体管配置	单
	最高工作温度	150°C
	宽度	10.3mm
	标准/认证	No
	长度	13.8mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 21A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 E
	包装类型 TO-220
	最大漏源电阻 Rd 0.18Ω
	最大功耗 Pd 35W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 30V
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 86nC
	晶体管配置单
	最高工作温度 150°C
	宽度 10.3mm
	标准/认证 No
	长度 13.8mm
	汽车标准否

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHA22N60E 是 E 系列 N 通道功率 MOSFET ，具有 600V 的漏极至源电压 (VDS)。栅极至源电压 (VGS) 为 30V。它采用薄型引线 TO-220 FULLPAK 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10 VGS 时为 0.18 欧姆。最大漏极电流 8A。

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低输入电容 (Ciss)

减少切换和传导损耗

Vishay N沟道MOSFET, Vds=600 V, Id=21 A, TO-220, E系列

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