Vishay P型沟道 功率 MOSFET, Vds=80 V, 110 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SUM110P08-11L-E3
- RS 库存编号:
- 180-7977
- 制造商零件编号:
- SUM110P08-11L-E3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 180-7977
- 制造商零件编号:
- SUM110P08-11L-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0112Ω | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 85nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 15.875mm | |
| 宽度 | 10.414 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 110A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0112Ω | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 85nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 15.875mm | ||
宽度 10.414 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 P 沟道， BE-263-3 封装是新时代的产品，漏极源电压为 80V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 11.2mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 375W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•适配器开关
•直流 / 直流主开关
•负载开关
• 电源管理