Vishay , 1 P型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=200 V, -0.4 A, HVMDIP, 4引脚
- RS 库存编号:
- 180-8628
- 制造商零件编号:
- IRFD9210PBF
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | RMB10.656 | RMB213.12 |
| 40 - 40 | RMB10.336 | RMB206.72 |
| 60 + | RMB10.026 | RMB200.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8628
- 制造商零件编号:
- IRFD9210PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -0.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | HVMDIP | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS 2002/95/EC | |
| 高度 | 8.38mm | |
| 长度 | 10.79mm | |
| 宽度 | 5 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -0.4A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 HVMDIP | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 3Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.9nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS 2002/95/EC | ||
高度 8.38mm | ||
长度 10.79mm | ||
宽度 5 mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Vishay IRFD9210 是 P 通道功率 MOSFET ，漏极至源电压 (VDS) 为 -200V。 栅极至源电压 (VGS) 为 20V。它具有 HVMDIP 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10 VGS 时为 3 欧姆。
动态 dV/dt 额定值
重复性耐雪崩等级
用于自动插入