onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 554.5 A, DFN, 表面安装, 8引脚, NTMTS0D6N04CL系列
- RS 库存编号:
- 186-1287
- 制造商零件编号:
- NTMTS0D6N04CLTXG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB13.253 | RMB39,759.00 |
| 6000 - 9000 | RMB12.855 | RMB38,565.00 |
| 12000 + | RMB12.598 | RMB37,794.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-1287
- 制造商零件编号:
- NTMTS0D6N04CLTXG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 554.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 系列 | NTMTS0D6N04CL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 660μΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 245.4W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 126nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 高度 | 1.15mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 8 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 554.5A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 DFN | ||
系列 NTMTS0D6N04CL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 660μΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 245.4W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 126nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 8.1mm | ||
高度 1.15mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 8 mm | ||
汽车标准 否 | ||
不符合
体积小（ 8 x 8 毫米），设计紧凑
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
典型应用
电动工具、电池操作的真空装置
UAV/DRONES ，材料处理
BMS/ 存储、家庭自动化