onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 2.2 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, NTGS3443T1G, NTGS3443系列
- RS 库存编号:
- 186-8933
- 制造商零件编号:
- NTGS3443T1G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
| 25 - 725 | RMB3.24 | RMB81.00 |
| 750 - 1475 | RMB3.143 | RMB78.58 |
| 1500 + | RMB3.048 | RMB76.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8933
- 制造商零件编号:
- NTGS3443T1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | TSOP | |
| 系列 | NTGS3443 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 100mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 3 mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2.2A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 TSOP | ||
系列 NTGS3443 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 100mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1mm | ||
宽度 3 mm | ||
长度 3.1mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
功率 MOSFET -20V-4.4A65Mohm 单路 P 通道 TSOP-6
超低 RDS (on)
更高的效率延长了电池寿命
微型 TSOP 6 表面安装封装
应用
便携式和电池供电产品中的电源管理
最终产品
移动电话和无绳电话
PCMCIA 卡