Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 4 A, TSOP-6, 表面安装, 6引脚, SI3443DDV-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 256-7355
- 制造商零件编号:
- SI3443DDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB1.697 | RMB42.43 |
| 50 - 75 | RMB1.612 | RMB40.30 |
| 100 - 225 | RMB1.532 | RMB38.30 |
| 250 - 975 | RMB1.454 | RMB36.35 |
| 1000 + | RMB1.382 | RMB34.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7355
- 制造商零件编号:
- SI3443DDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | TSOP-6 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 TSOP-6 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor P 通道 20 V (D-S) mosfet 最大值在稳定状态条件下为 110 °C,W。
TrenchFET 功率 Mosfet
PWM 优化
100% Rg 测试