STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=10 A, 3针, TO-252
- RS 库存编号:
- 188-8285
- 制造商零件编号:
- STD11N60DM2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 制造商零件编号:
- STD11N60DM2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 420mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25V | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.17mm | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 420mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 25V | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.5nC | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.6mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.17mm | ||
宽度 6.2mm | ||
汽车标准 否 | ||
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh™ DM2 快恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷（Qrr）和时间（trr），以及较低的 RDS（on），因此适用于要求最苛刻的高效率转换器，也是桥式拓扑结构和 ZVS 移相转换器的理想选择。
快速恢复体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
低导通电阻
极高的 dv/dt 强度
齐纳保护
应用
开关应用
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