STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=7 A, 3针, TO-252

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RS 库存编号:
188-8286
制造商零件编号:
STD11N65M2
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

7A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

680mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

100nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

85W

最大栅源电压 Vgs

25V

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

2.17mm

宽度

6.2mm

长度

6.6mm

汽车标准

否

这些器件是采用 MDmesh M2 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。由于采用了条状布局和改进的垂直结构，这些器件具有较低的导通电阻和优化的开关特性，适用于要求最苛刻的高效转换器。

极低的栅极电荷

出色的输出电容（COSS）曲线

齐纳保护

应用

开关应用

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