STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=55 A, 3针, TO-252, STD系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 卷，共 2500 件）*

RMB19,317.50

(不含税)

RMB21,830.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 2,500 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
2500 - 2500RMB7.727RMB19,317.50
5000 - 5000RMB7.573RMB18,932.50
7500 +RMB7.346RMB18,365.00

* 参考价格

RS 库存编号:
239-6329
制造商零件编号:
STD86N3LH5
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

55A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-252

系列

STD

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

45mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

70W

最高工作温度

175°C

标准/认证

UL

高度

2.4mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

汽车标准

AEC-Q101

STMicroelectronics MOSFET 设备是一款 N 沟道功率 MOSFET ，采用 STMicroelectronics 的 STripFET H5 技术开发。此设备经过优化，可实现极低的通态电阻。

低接通电阻 RDSon

高耐雪崩性

低栅极驱动功率损耗

30 V VDs

80 A ID

相关链接