onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 68 A, WDFN, 表面安装, 8引脚, NVTFS6H850N系列
- RS 库存编号:
- 172-3321
- 制造商零件编号:
- NVTFS6H850NTAG
- 制造商:
- onsemi
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 172-3321
- 制造商零件编号:
- NVTFS6H850NTAG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 68A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | NVTFS6H850N | |
| 包装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 107W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 3.15mm | |
| 宽度 | 3.15 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 68A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 NVTFS6H850N | ||
包装类型 WDFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 107W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 3.15mm | ||
宽度 3.15 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.75mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
汽车功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。支持 MOSFET 和 PPAP，适用于汽车应用。
体积小巧 (5 x 6 mm)
紧凑设计
低 RDS（接通）
最大限度地减少传导损耗
低 QG 和电容
最大限度地减少驱动器损耗
NVMFD5C446NLWF − 可润侧翼选件
增强型光学检验
支持 PPAP
应用
电磁阀驱动器
低侧/高侧驱动器
汽车发动机控制器
防抱死制动系统