onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 313 A, DFN, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 195-8977
- 制造商零件编号:
- NVMFSC0D9N04C
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 313A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.87mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 86nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 166W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 6.25mm | |
| 宽度 | 0.95 mm | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 313A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.87mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 86nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 166W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 6.25mm | ||
宽度 0.95 mm | ||
长度 5.1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
on ON Semiconductor 双冷却功率 n 沟道 mosfet 采用 5x6mm 扁平引线封装、设计用于紧凑型高效设计、包括高热性能。在这种可润侧翼选件中、可用于增强光学检验。
Advanced dual−è re sided
体积小、设计紧凑
超低 rds (接通)、可最大程度减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
