onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 313 A, DFN, 表面安装, 8引脚, NTMFSC0D9N04CL
- RS 库存编号:
- 195-2664
- 制造商零件编号:
- NTMFSC0D9N04CL
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 195-2664
- 制造商零件编号:
- NTMFSC0D9N04CL
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 313A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 850μΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 167W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 143nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.9mm | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 宽度 | 5 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 313A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 850μΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 167W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 143nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.9mm | ||
高度 0.95mm | ||
宽度 5 mm | ||
汽车标准 否 | ||
此 n 通道 mosfet 采用 on 半导体 Advanced ® 工艺生产。硅和双 cool ™封装技术的先进技术相结合，可提供最低 rds （接通），同时通过极低的接点到环境热阻保持极佳的切换性能。
TOP I是 标准 5x6mm 引脚外露的
通过封装的顶部和底部提高散热 TOP
超低 Rds(on)
减少传导损耗
降低电容和封装电感
减少切换损耗
应用
交流 - 直流和直流 - 直流电源中的同步整流器
电动机开关
负载开关